杏彩体育app下载:8吋SiC外延设备首次亮相 已经完成首轮工艺验证

　　成为产业链降本增效的主要路径。48所聚焦第三代半导体产业发展的迫切需求和瓶颈问题，抢滩布局，奋力开展8吋SiC外延设备关键技术突破及工艺研发，目前该设备

　　经过一年的技术攻关，48所研发团队在6吋SiC外延设备基础上，进一步优化水平进气装置设计、热壁式反应室构型等设计，克服了大尺寸外延生长反应源沿程损耗突出、温流场分布不均等问题，满足了大尺寸、高质量外延生长需求，实现了外延装备从6吋到8吋的技术迭代。

　　目前，48所自研的8吋SiC外延设备核心技术指标取得了关键性突破，8英寸生长厚度均匀性＜1.5%，掺杂浓度均匀性＜4%，表面致命缺陷＜0.4个/cm²，这些技术指标的突破，标志着48所已成功掌握8吋SiC外延设备相关技术。

　　48所表示，作为我国半导体装备领域的“国家队”，他们将始终致力于半导体微细加工设备的技术研究，坚持在创新实践中奋进领跑，加速推进产品迭代升级和产业化应用，为实现我国半导体装备领域关键核心技术自立自强作出积极贡献。