杏彩体育app下载:半导体设备公司北方华创：受益国产替代加速产品系列持

　　北方华创成立于 2001 年，是国内领先的高端电子工艺装备供应商，专业从事半导体装备、真空装备及精密电子元器件等的研发、生产、销售和技术服务。

　　公司构筑多元化技术平台，多线并行布局产品体系。公司与子公司北方华创微电子、北方华创真空等均系经北京市科技局、财政局、税务局联合认定的高新技术企业，经过多年研发创新，公司已掌握刻蚀、薄膜沉积、真空热处理等领域的多项核心技术，曾承担国家科技部“十五”863 集成电路制造装备重大项目及国家 02 科技重大专项，蝉联 2013-2018 年“中国半导体设备十强单位”，并荣获“国家级企业技术中心”、2018 年“中国半导体设备五强企业”、2021 年“中国电子百强企业”等荣誉称号。

　　（1）半导体工艺装备：主要由子公司北方华创微电子生产经营，覆盖刻蚀设备（ICP、CCP）、薄膜沉积设备（PVD、CVD、ALD）、氧化扩散、清洗设备、外延设备等类别，广泛应用于逻辑芯片、存储芯片、先进封装、第三代半导体、微机电系统等领域。

　　（2）真空&锂电装备：真空装备主要包含真空热处理设备、气氛保护热处理设备、连续式热处理设备和晶体生长设备等，广泛应用于真空电子、新能源光伏、半导体材料、磁性材料、新能源汽车等领域。锂电设备主要提供浆料制备、真空搅拌机、涂布机、强力轧膜机、高速分切机等极片制造装备，集流体卷绕 PVD 镀膜设备已进入客户端验证。

　　（3）精密电子元器件：由子公司七星华创精密电子生产经营，包括石英晶体器件、石英微机电传感器、高精密电阻器、钽电容器、微波组件、模拟芯片、模块电源等产品，广泛应用于高铁、智能电网、通信、医疗电子、精密仪器、自动控制等领域。

　　1）整体来看，2018-2022 年公司电子工艺装备（主要包含半导体设备&真空设备）收入占比分别为 76%、79%、80%、82%、82%，构成公司收入主体；

　　2）细分设备来看，2022 年北方华创微电子实现收入 114.33 亿元，占公司总收入 78%，较 2018 年的 60%明显提升，侧面反映出公司半导体设备收入占比快速提升。（注：北方华创微电子主营“半导体设备”，其业务范畴涵盖集成电路、新型显示、新能源等泛半导体领域）

　　1）集成电路：公司批量供货中芯国际、长江存储、华虹集团、武汉新芯等龙头客户，28nm Hardmask PVD、Al-Pad PVD 设备已率先进入国际供应链体系；

　　2）LED、MEMS、新能源光伏等领域：覆盖三安光电、华灿光电、隆基股份、晶澳太阳能等龙头客户。

　　公司客户集中度适当，2020-2022 年前五大客户收入占比分别为 43.66%、30.55%和 25.67%，呈现快速下降趋势。

　　从股权构成来看，截至 2023Q1 末，北京电控直接&间接合计持有公司 43.08%股份，为公 司实际控制人。

　　作为北京市国资委全资下属企业，北京电控具备深厚的区域性资源优势和强大的资本实力，长期为公司提供战略资源支持。

　　此外，国家集成电路产业投资基金&二期合计持有公司 8.36%股份，同样为公司持续快速发展奠定坚实基础。

　　2022 年公司研发支出达到 35.66 亿元，2018-2022 年 CAGR 达到 42%。公司研发投入占营收比重常年高居 20%以 上，2022 年达到 24.28%，高于中微公司、盛美上海、拓荆科技、华海清科等本土同行。

　　中国半导体产业的高速发展，技术人才是重要竞争力。截至 2022 年底，公司技术人员合计 4,123 人，占比达到 41.2%。

　　2022 年公司再次实施股权激励计划，首次授予的激励对象不超过 840 人，主要为核心技术人才&管理骨干。

　　本次股权激励覆盖面进一步下沉，可以更好地激励人才，将公司利益和激励对象紧密，利于公司中长期发展。

　　公司在光伏、LED、MEMS、功率器件等工艺设备及真空设备领域均处于国际先进水平，等离子刻蚀设备已突破新型高密度/低损伤等离子体源技术和脉冲射频控制技术，PVD 设备已突破溅射源设计技术、等离子产生与控制技术、颗粒控制技术等多项关键技术，技术水平处于行业领先地位。

　　2）分产品来看，公司半导体设备持续放量，2022 年子公司北方华创微电子实现收入 114.33 亿元，2018-2022 年 CAGR 达到 55%，占公司总营业收入的比重持续提升，是公司收入端持续快速增长的主要驱动力。

　　利润端，2018-2022 年公司归母净利润 CAGR 高达 78%，高于同期收入端增速，侧面反映出公司盈利能力提升。

　　进一步分析发现，2018 年以来公司销售净利率和扣非销售净利率均呈现明显上行趋势，2022 年分别达到 17.30%和 14.34%，分别同比+4.98pct 和+6.01pct，盈利水平明显提升。

　　2020-2022 年公司销售毛利率分别为 36.69%、39.41%和 43.83%，快速爬升，主要系电子工艺装备毛利率快速上升，2020-2022 年分别为 29.44%、33.00%和 37.70%，我们判断核心在于半导体设备产品结构优化，同时成本端也存在一定规模化降本。

　　截至 2023Q1 末，公司存货和合同负债分别达到 150.12、78.22 亿元，同比+55%、+54%，均验证在手订单充足。

　　2021 年公司非公开募集 85 亿元，用于“半导体装备产业化基地扩产项目（四期）”、“高端半导体装备研发项目”、“高精密电子元器件产业化基地扩产项目（三期）”等项目，将有效缓解产能瓶颈，进一步夯实核心竞争力。具体来看：

　　1）半导体装备产业化基地扩产项目（四期）：设计年产量为集成电路设备&新兴半导体设备各 500 台+LED 设备 300 台+光伏设备 700 台，达产后年均销售额约 74.6 亿元，对应年均利润总额约 8.07 亿元。

　　2）高精密电子元器件产业化基地扩产项目（三期）：设计量产 22 万只高精密石英晶体振荡器+2000 万只 特种电阻，达产年均销售额 4.43 亿元，对应年均利润总额为 1.33 亿元。

　　整体来看，半导体设备国产化率仍处于低位。收入口径下，2022 年 11 家半导体设备企业合计实现营业收入 376 亿元，同比+53%，对应半导体设备市场整体国产化率约 22%。

　　然而，对于光刻、量/检测、涂胶显影、离子注入设备等领域，我们预估 2022 年国产化率仍低于 10%，国产替代空间较大。

　　外部事件方面，继 2022 年 10 月美国对中国半导体制裁升级后，2023 年荷兰、日本相继加入限制阵营，主要聚焦在先进制程领域，半导体设备逆全球化趋势愈发明显。

　　国产半导体设备企业在薄膜沉积、刻蚀、量/检测、CMP、清洗等领域均已具备一定先进制程设备技术积淀，并且产业化进展正在快速推进，具备持续扩张的底层技术基础。

　　我们看好在国产设备商已经具备相关技术积淀的基础上，内资晶圆厂加速对于国产半导体设备的导入进程，我们判断半导体关键设备突破、国产化率提升有望超出市场预期。

　　相较 IC 设计、封测环节，晶圆制造是中国当前半导体行业短板，自主可控驱动本土晶圆厂逆周期大规模扩产。

　　中国市场晶圆产能缺口较大，2021 年底晶圆全球产能占比仅为 16%，远低于半导体销售额全球占比。

　　1）在逻辑端，中芯国际为扩产主力，2023 年资本开支维持高位。作为内资晶圆代工龙头， 中芯国际在半导体行业下行周期中，2022 年 8 月拟在天津新增规划产能为 10 万片/月，进一步验证逆周期扩产逻辑。2022 年中芯国际资本开支达到 63.5 亿美元，同比+41%，并预计 2023 年资本开支基本持平。

　　2）在存储端，2023 年扩产好于先前预期，二三线晶圆厂粤芯、晋华、燕东等扩产量我们预计仍有一定增长。设备招标方面，我们预计随着 2023Q2 内资晶圆厂招标陆续启动，国内半导体设备公司订单有望持续兑现。

　　1）全球范围内来看，2023Q2 美光实现营收 36.93 亿美元，环比-9.6%，降幅明显收窄，2023Q3 营收指引为 35-39 亿美元，环比-5%~+6%，中枢基本持平，降幅进一步收窄。

　　2）对于中国市场，IC 设计龙头库存水位开始下降。若以已披露年报的韦尔股份、紫光国微、北京君正、乐鑫科技、全志科技、上海贝岭和晶丰明源为统计样本，2022Q4 末行业存货周转天数平均数为 196.62 天，环比下降 5%，库存水位已经出现下降迹象。

　　历史数据表明，全球半导体设备与半导体销售额同比增速呈现高度联动效应，同时在行业上行周期时，半导体设备可以表现出更强增长弹性。

　　展望 2024 年，全球范围内来看，在终端消费持续复苏的背景下，SEMI 预计 2024 年全球晶圆厂设备支出约 920 亿美元，同比增长 21%，2024 年半导体设备需求有望明显反弹，进入下一轮上行周期。

　　定量来看，我们预计 2024 年中国半导体设备市场规模将达 2652 亿元，同比+32%。

　　公司已成功覆盖薄膜沉积、刻蚀、热处理、清洗设备等领域，尤其在 PVD、ICP、热处理设备等领域占据领先地位。

　　在稳固现有优势产品市场竞争力，持续快速提升市场份额的同时，公司产品体系持续完善，集成电路装备面向逻辑、存储、功率、先进封装等多领域拓展，刻蚀机、PVD、CVD、ALD、立式炉、清洗机等多款新品进入主流产线，其中逻辑领域主流芯片产线批量采购公司设备；存储领域多种新型工艺设备进入产线验证；先进封装领域与国内主要封装厂均建立合作关系；功率器件领域与国内主流厂商开展深度合作，成为业内主流厂商重要设备供应商，公司成长空间持续快速打开。

　　刻蚀是光刻之后的关键工序，指用物理或化学方法有选择地去除不需要的薄膜材料，进而形成光刻定义的电路图形。

　　1）湿法刻蚀：早期主流刻蚀工艺，各向异性较差，无法满足精细布线μm 以上图形转移，以及干法刻蚀后清洗残留物等场景。

　　2）干法刻蚀：以等离子体刻蚀为主，主要利用等离子体产生的高化学活性粒子轰击薄膜表面，产生挥发性气体，从而形成各类微观结构。

　　1）CCP 设备：离子能量较高，主要应用于较硬的介质材料，刻蚀高深宽比的深孔、深沟等微结构。

　　2）ICP 设备：离子能量较低，离子浓度均匀度较高，适用于更精细的加工控制，尤其适用于较软&较薄的薄膜材料加工。

　　芯片微型化趋势下对精细加工需求量提升，ICP 市场份额快速提升，2020 年在干法刻蚀设备中的市场占比达到 61%，超过 CCP 设备。

　　我们预估 2024 年中国半导体刻蚀设备市场规模达到 557 亿元，其中 ICP 和 CCP 设备市场规模分别达到 306 和 195 亿元，市场空间较为广阔。

　　全球刻蚀设备仍由 LAM、TEL 和 AMAT 主导，本土企业已经全面覆盖 ICP 和 CCP。

　　在本土企业中，中微公司、北方华创率先实现产业化，已全面覆盖 ICP 和 CCP，整体呈现错位竞争。

　　特别地，公司在 ICP 领域具备较强市场竞争力，广泛应用于硅刻蚀，以及铝、钨等金属刻蚀等，引领国产替代浪潮。

　　细分产品来。