杏彩体育app下载:追踪12月近30个半导体项目迎最新进展

　　迈入12月，包括立昂微、翠展微、义芯集成、华润微、华为、旺荣半导体、清溢光电、佰维存储、苏州锐杰微科、广汽集团等在内企业半导体项目迎来最新进展，涉及领域涵盖半导体材料、封测、功率半导体等。

　　12月13日，立昂微发布公告称，公司2021年非公开发行股票募投项目均已实施完毕，公司本次募投项目全部结项。该公司拟将2021年非公开发行股票募投项目节余募集资金4,316.47万元永久补充流动资金。

　　根据公告，立昂微本次募投项目分别为“年产180万片集成电路用12英寸硅片”“年产72万片6英寸功率半导体芯片技术改造项目”“年产240万片6英寸硅外延片技术改造项目”。

　　针对募集资金节余的主要原因，立昂微表示，公司在募投项目建设过程中，严格按照募集资金使用的有关规定，谨慎使用募集资金，在保证项目建设质量的前提下，严格控制募集资金支出，加强对项目费用的控制、监督和管理，充分考虑资金结算及其他有效资源的综合利用。另外，募集资金存放期间产生了一定的利息收入。

　　12月12日，据浙江翠展微电子有限公司（以下简称“翠展微”）消息，翠展微三期项目封顶。该项目总投资15亿元，建筑总面积近10万平方米，建成达产后将实现年产300万套IGBT模块的生产能力，预计年产值10亿元。

　　据悉，翠展微三期项目于6月19日开工，计划工期7个月，2024年1月交付首期工厂，预计2024年5月首批约5条产线万套IGBT模块产线年年底投产。同时，新工厂将会投建1~2条SiC器件产线年正式投产。

　　公开资料显示，翠展微成立于2018年5月，于2020年11月正式签约落户嘉善，同时启动第一条产能20万套/年的汽车级IGBT模块封测线万套/年，目前三期项目已封顶，全部建设完成将达到300万套/年的产能。

　　融资方面，翠展微电子分别于2022年5月、9月、2023年1月连续宣布完成Pre-A轮、A轮和A+轮融资，三轮融资总额超2亿元。翠展微表示，2022年翠展微已交付近万套的汽车主驱IGBT模块，同时汽车SIC模块也已经获得了整车项目定点，因此融资资金将全面投入到新建产线建设、新设备购买、新产品研发中，以确保翠展微具备2023年交付超60万套汽车主驱IGBT模块的能力。同时，公司将持续开拓在工控、光伏、储能等领域的市场。

　　12月12日上午，义芯集成电路（义乌）有限公司（以下简称“义芯集成”）半导体先进封装项目投产仪式暨产业对接会在义乌举行。

　　据义芯集成电路官微介绍，义芯集成位于义乌经济技术开发区规划建设的义东北半导体产业基地中，是该片区迎来的首个芯片半导体项目。义芯集成工厂于2022年7月开工建设，占地70亩，建筑面积共约4.99万平方米，一期工厂于2023年11月竣工，目前正在进行试生产，并计划于2024年进一步购置设备扩大生产。

　　资料显示，项目方义芯集成由中芯聚源及马来西亚上市公司益纳利美昌集团合资组建，注册资本16.91亿元人民币，致力于成为国内先进、技术水平高端的射频前端模组系统级先进封装、滤波器晶圆级封装及芯片级封装的设计和制造平台。

　　据中时新闻网12月10日报道，华为法国分公司副总经理张明刚透露，华为首家海外工厂已经确定落地法国，占地约8公顷，预计2025年底投产。

　　据报道，华为这一项目预计投资2亿欧元，年产值可达10亿欧元。这座工厂预计年产10亿台设备，但并非生产智能手机，而是4G和5G****所需的芯片组、主板等零部件，可供应整个欧洲市场。

　　报道称，华为于2003年进入法国，目前在巴黎拥有6个研发中心、1个全球设计中心。华为2019年就宣布将在法国设厂，原计划2023年初投产，但因为环保等各种原因，拖延了许久。

　　12月10日，宁夏盾源聚芯半导体科技股份有限公司（以下简称“盾源聚芯”）研发楼及石英坩埚扩产项目竣工投产。

　　盾源聚芯官微表示，该项目总投资5.4亿元，建设规模3.3万平方米，主要生产半导体石英坩埚、超高纯石英砂及硅部件产品，项目投产后可年产石英坩埚10万只、石英砂3600吨、硅部件4万枚，年产值可达10亿元。

　　盾源聚芯是一家集半导体石英坩埚、超高纯石英砂及硅部件产品的研发、生产和销售为一体的半导体装备核心零部件、半导体材料的专业制造商。该公司主营SiFusion硅熔接制品、SiParts精密硅部件、SiMaterial先进硅材料以及AQMN高纯石英坩埚四大产品，并已在芯片制造商得到应用。

　　据苏州中设建设集团有限公司消息，12月9日，苏州中设集团承建的苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目举行奠基仪式。

　　消息显示，苏州长光华芯先进化合物半导体光电子平台新建项目位于苏州科技城普陀山路北侧、漓江路东侧地块，预计2025年正式投入使用。作为省重点项目，该项目将打造先进化合物半导体光电子研发生产平台，进行氮化镓、砷化镓、磷化铟等激光器和探测器用2-3英寸芯片产线建设及器件封装等。项目建成后，将具备年产1亿颗芯片、500万器件的能力。

　　官网指出，苏州长光华芯光电技术股份有限公司成立于2012年，位于江苏苏州，公司主要致力于高功率半导体激光器芯片、高效率激光雷达与3D传感芯片、高速光通信半导体激光芯片及器件和系统的研发、生产和销售。产品广泛应用于工业激光器泵浦、激光先进制造装备、生物医学美容、高速光通信、机器视觉与传感等。

　　据悉，卓品智能科技总部基地项目用地面积约22.5亩，总投资3亿元，规划建筑面积4.4万平方米，将重点用于建设总部基地大楼、智能制造工厂和CNAS实验室，可实现年产能100万套。

　　公开资料显示，卓品智能科技无锡股份有限公司是由国家级人才李大明创立的高新技术企业、国家级专精特新“小巨人”企业、江苏省潜在独角兽企业，致力于实现汽车电子嵌入式进口替代，产品覆盖动力总成全系列全领域，是国内自主电控系统解决方案领军企业。

　　东莞滨海湾新区消息显示，12月6日-7日，2023东莞全球招商大会举办，滨海湾产业招商基金项目、汽车半导体总部及高端集成电路智能制造项目、美矽微运营研发总部及智能制造基地三个项目现场签约，总投资达33亿元。

　　据悉，滨海湾新区产业招商基金项目首期计划为10亿元，由前海方舟资产管理有限公司作为基金签约管理人，重点围绕半导体和集成电路、人工智能、智能终端汽车电子、生命健康、新能源等领域的高成长性企业，重点布局高技术门槛和产业稀缺性的成长期项目，对电子科创产业链核心技术、装备、产品和应用场景进行前瞻性投入。

　　汽车半导体总部及高端集成电路智能制造项目位于精密智造科创园，总投资10.5亿元。项目将建设集生产、研发、办公为一体的企业总部，包括千级万级净化车间、研发中心大楼及其他配套设施，组建省级重点实验室、省工程技术研究中心、省级企业技术中心、博士工作站、国家级CNAS实验室、国家级工程技术研究中心、半导体材料研发中心。

　　美矽微运营研发总部及智能制造基地项目位于精密智造科创园，投资总额为12.5亿元。其中，项目一期投资总额5亿元。项目规划建设美矽微运营研发总部及智能制造基地项目，将建成国内规模最大、专业能力最强的全息****屏全智能化研发及生产基地、数模混合集成电路研发中心，主要进行LED全息屏设计、研发、生产和销售以及高性能模拟及数模混合集成电路设计、研发、销售。

　　据丽水经济技术开发区消息，12月10日，浙江旺荣半导体有限公司（以下简称“旺荣半导体”）8英寸功率器件项目正式竣工投产。

　　据悉，该项目一期投资24亿元，将实现年产24万片8英寸晶圆的生产能力，专注于0.18μm～0.35μm功率分立器件研发与制造。竣工投产后将聚焦半导体等关键领域技术创新，投入资金对半导体生产工艺、生产技术革新进行研发，为半导体产业在核心底层技术领域积累经验、培养人才、形成知识产权。

　　资料显示，浙江旺荣半导体有限公司是丽水特色半导体产业链“Smart IDM”生态圈中制造环节的标志性龙头企业，是以“芯片设计、晶圆制造、器件封装测试、产品应用”为一体的垂直整合制造模式运营的公司，主要聚焦于被海外巨头垄断的中高压IGBT、MOSFET、FRD等功率芯片和功率模块产品。

　　据悉，该项目总投资约26.5亿元，分两期建设。一期项目投资11.8亿元，建设年产1亿颗光子集成芯片项目，计划于2025年6月底前完成厂房建设并投产；二期项目投资14.7亿元，建设年产2亿颗光子集成芯片工艺线、半导体材料、封装等生产项目。项目全面达产后预计实现年销售收入20亿元、税收约1.2亿元。

　　官方表示，该项目致力于发展光子芯片产业、扩大芯片产能，对金华乃至长三角光子芯片产业发展壮大将起到重要作用，浙江大学光电子实验室将支持服务项目建设和企业发展。

　　今年2月，在上海举行的2023武汉招商引资推介大会上，盛吉盛半导体武汉碳化硅项目签约落地武汉经开区，总投资约15亿元。3月，吉盛微（武汉）新材料科技有限公司在武汉经开区注册成立，6月启动生产线月入驻试生产，项目当年签约、当年落地、当年投产，跑出“车谷加速度”。项目预计2027年达产，可实现年销售收入10亿元。

　　盛吉盛半导体副总经理、吉盛微总经理李士昌表示，吉盛微主要研发、生产制造SiC材料、SiC基聚焦环、簇射极板及晶圆舟等碳化硅半导体产业链关键设备的零部件和耗材，在产业链上位于中、上游。

　　近年来，盛吉盛半导体致力于推动半导体设备和关键零部件国产化，已有多款设备和零部件交付国内龙头客户。目前，吉盛微已经完成了刻蚀、扩散、外延、快速热处理等多个工艺的零部件、耗材开发工作，部分产品填补了国内空白，初步具备稳定的生产供货能力。

　　近日，苏州中科重仪半导体材料有限公司（以下简称“中科重仪”）自主研发的应用于电力电子领域的大尺寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延片生产线正式建成并投入使用。

　　据介绍，中科重仪生产的氮化镓外延片，氮化镓层厚度约5μm表面无裂纹，翘曲度小于100μm。HEMT结构室温下，方块电阻为465Ω/sq，二维电子气（2DEG）浓度约8×1013cm-2、2DEG迁移率大于2000 cm2/Vs，片内与片间不均匀性小于1%，可以满足电力电子领域功率器件开发与应用需求。

　　中科重仪表示，其自主研发的电力电子方向硅基氮化镓外延片生产线具有气源预处理功能，核心反应腔内对温场、流场均匀性强化控制，加入应力翘曲模型，更加适合大尺寸氮化镓材料生长。同时自动化控制、监测、分析平台，可快速优化外延片生长工艺，缩短工艺调整周期。经过抗压测试和材料生长结果表明，设备具有很好的稳定性和工艺重复性。

　　2023年，中科重仪在苏州吴江区建立了国内首条采用国产化MOCVD设备生产的8英寸硅基氮化镓外延产线片。投入运营后，将实现氮化镓材料综合生产成本降低50%以上，为市场提供氮化镓外延片产品，更好地助力电力电子器件实现高性能、高可靠性及低成本的生产目标。

　　12月6日，清溢光电发布公告称，公司拟向特定对象发行股票募集资金总额不超过12亿元（含本数），募集资金扣除相关发行费用后将用于投资高精度掩膜版生产基地建设项目一期、高端半导体掩膜版生产基地建设项目一期。

　　清溢光电表示，公司作为国内领先的平板显示用掩膜版生产企业，需加大产能生产大尺寸高精度掩膜版，从而提高企业持续发展的能力，并提升国内大尺寸高精度掩膜版的配套能力。通过实施本次募投项目，可提高公司高精度掩膜版的技术能力和产能，从而带动国产化配套水平的提升，填补国内高精度掩膜版空。