杏彩体育app下载:CASICON2023前瞻 锴威特董事长丁国华：SiC MOSFET在储能应用中的机会及挑战

　　以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）等为代表的第三代先进半导体器件是全球智能、绿色、可持续发展的重要支撑力量，其在光电子，射频及功率器件方向都有广泛的应用。SiC、GaN功率器件展现出优异的耐高温、耐高压、高开关频率、低能量损耗及高功率密度等性能优势，非常契合现代功率电子器件应用所需的要求。万物智能互联，电子系统或装备对功率电子器件的需求越来越高，SiC、GaN功率电子器件拥有的优异特性，可以支撑新能源汽车、智能电网、储能、光伏、轨道交通、智能制造等应用领域产业发展的迫切需求。光电子与微电子深度融合，有望实现跨界创新应用引领，支撑数字化、智能化的颠覆性跨界创新应用。

　　2023年7月26-28日，“2023功率与光电半导体器件设计及集成应用论坛”将于西安召开。论坛由第三代半导体产业技术创新战略联盟（CASA）指导，西安交通大学、极智半导体产业网（）、第三代半导体产业主办，西安电子科技大学、中国科学院半导体研究所、CASA人才发展委员会、全国半导体应用产教融合（东莞）职业教育集团联合组织筹办。论坛将围绕光电子器件与功率半导体器件设计、测试评价及应用等主题，邀请产业链相关专家、高校科研院所及知名企业代表共同深入探讨，追踪最新技术进展，分享前沿研究成果，携手促进国内功率与光电半导体器件技术与应用发展。

　　期间，苏州锴威特半导体股份有限公司董事长丁国华受邀将出席论坛，并带来《SiC MOSFET在储能应用中的机会及挑战》的大会主旨报告，分享最新发展趋势。

　　丁国华，苏州锴威特半导体股份有限公司董事长。西安交大半导体物理与器件专业学士，东南大学半导体物理与器件专业硕士，2015年加盟锴威特，主攻功率器件。曾获港城最美创新创业人才、姑苏创新创业领军人才、无锡市人民政府颁发的科学技术进步二等奖、无锡新区软件企业优秀总经理、国家电子工业部（现更名为工业和信息化部）颁发的科学技术进步三等奖、江苏省科学技术厅和江苏省教育厅联合颁发的全省高校院所科技人员创新创业先进个人等奖项或荣誉称号。

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