杏彩体育app下载:2024年全球第三代半导体材料市场现状分析 技术和

　　第三代半导体材料引发全球瞩目，并成为半导体技术研究前沿和产业竞争焦点，美、日、欧等国都在积极进行战略部署。主要国家政府的部署情况如下：

　　2022年4月Wolfspeed莫霍克谷工厂8英寸SiC衬底正式投产，9月又宣布再次投资13亿美元，在北卡罗来纳州建设8英寸SiC衬底工厂;Onsemi 8英寸SiC晶圆衬底样品面世,预计在2024年实现样品认证，2025年实现规模出货;Soitec发布首款8英寸SiC衬底产品;Sumitomo Metal子公司Sicoxs开建8英寸SiC复合衬底产线。此外，SiC外延供应商Showa Denko宣布8英寸SiC外延片样品开始供货。晶圆代工领域除汉磊、X-Fab外，韩国DB HiTek和联电也在加快8英寸晶圆制造布局。

　　Toyoda Gosei与大阪大学合作，采用钠助溶剂液相法，在蓝宝石衬底上生长出高质量籽晶，然后再经过HVPE法生长出6英寸GaN单晶。GaN衬底激光剥离技术取得进展，包括诺贝尔物理学奖获得者天野浩在内的日本研究团队发表GaN衬底激光减薄新技术，通过背面激光照射法来剥离器件层，最大幅度减少GaN衬底的消耗;该技术可在器件制造之后开展，将GaN衬底生产效率提升3倍，同时省去衬底抛光工艺，有助于帮助降低GaN晶圆制造成本，也有望应用于 SiC单晶切割。韩国IVworks与美国Applied Materials合作，利用MBE方法制备适用1200V的6英寸和8英寸GaN外延片，并通过混合 MBE设备监测GaN薄膜层的厚度，以此提高产量。

　　目前，第三代半导体材料研发较为成熟的材料有SiC和GaN，ZnO、金刚石、氮化铝等材料的研究则尚属于起步阶段。从SiC和GaN的整体市场规模来看，2018-2022年，全球SiC和GaN材料的市场规模逐年增长。2022年，综合Yole、IHS的数据显示，全球SiC和GaN的整体市场规模达36.1亿美元，较2021年增长了49.42%。经初步估计，2023年全球SiC和GaN的整体市场规模或达到43亿美元。

　　整体来看，目前第三代半导体的发展已进入快速成长期，根据Yole的数据，第三代半导体功率器件(含SiC和GaN)2022年占整体半导体功率器件市场的比例为约5%-6.5%%。

　　随着5G、新能源汽车、国防军事应用的增加，全球第三代半导体材料市场在未来五年将保持较高增速增长。综合Yole等公司数据，CASA预计到2026年SiC电力电子市场规模将达48亿美元，GaN电力电子器件市场规模将超过20亿美元，合计规模将超92亿美元，2029年市场可达178亿美元以上;综合Yole及Trendforce数据，GaN射频器件及模组市场未来几年将保持18%的增速，到2026年市场规模约为24亿美元，按此增速到2029年规模可达39亿美元，第三代半导体材料总体规模可达218亿美元。

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