杏彩体育app下载:杭州立昂微电子股份有限公司关于召开 2023年度暨

　　本公司董事会及全体董事保证本公告内容不存在任何虚假记载、误导性陈述或者重大遗漏，并对其内容的真实性、准确性和完整性承担法律责任。

　　重要内容提示：?会议召开时间：2024年05月07日(星期二)下午15:00-16:30?会议召开地点：上海证券交易所上证路演中心（网址：）?会议召开方式：上证路演中心视频和网络互动?投资者可于2024年04月25日(星期四)至05月06日(星期一)16:00前登录上证路演中心网站首页点击“提问预征集”栏目或通过公司邮箱行提问。公司将在说明会上对投资者普遍关注的问题进行回答。

　　杭州立昂微电子股份有限公司（以下简称“公司”）已于2024年4月23日发布公司2023年度报告及2024年第一季度报告，为便于广大投资者更全面深入地了解公司2023年度及2024年第一季度经营成果、财务状况，公司计划于2024年05月07日下午15:00-16:30举行2023年度暨2024年第一季度业绩说明会，就投资者关心的问题进行交流。

　　本次投资者说明会以视频结合网络互动召开，公司将针对2023年度及2024年第一季度经营成果及财务指标的具体情况与投资者进行互动交流和沟通，在信息披露允许的范围内就投资者普遍关注的问题进行回答。

　　（一）投资者可在2024年05月07日下午15:00-16:30，通过互联网登录上证路演中心（），在线参与本次业绩说明会，公司将及时回答投资者的提问。

　　（二）投资者可于2024年04月25日(星期四)至05月06日(星期一)16:00前登录上证路演中心网站首页，点击“提问预征集”栏目（），根据活动时间，选中本次活动或通过公司邮箱向公司提问，公司将在说明会上对投资者普遍关注的问题进行回答。

　　本次投资者说明会召开后，投资者可以通过上证路演中心（）查看本次投资者说明会的召开情况及主要内容。

　　1本年度报告摘要来自年度报告全文，为全面了解本公司的经营成果、财务状况及未来发展规划，投资者应当到网站仔细阅读年度报告全文。

　　2本公司董事会、监事会及董事、监事、高级管理人员保证年度报告内容的真实性、准确性、完整性，不存在虚假记载、误导性陈述或重大遗漏，并承担个别和连带的法律责任。

　　以实施权益分派股权登记日登记的总股本（扣除回购专户中股份数量）为基数，向全体股东每10股派发0.85元现金红利（含税）。截至2024年3月31日，公司总股本为676,855,027股,扣除回购专户中股份数量2,593,500股，现金股利分派的股份基数为674,261,527股，以此计算预计派发现金红利57,312,229.80元（含税）。

　　如在利润分配预案披露之日起至实施权益分派股权登记日期间，公司总股本发生变动的，公司拟维持分配总额不变，相应调整每股分配金额，并将另行公告具体调整情况。

　　2023年，受到全球经济持续疲软、通货膨胀高企、消费需求减弱、地缘危机等多重因素影响，全球半导体行业呈现波动下行的趋势。根据世界半导体贸易统计组织（WSTS）的数据，2023年全球半导体产业销售额达5,201.26亿美元，同比下降9.4%。2023年中国半导体行业同样面临行业周期下行、市场低迷、贸易环境不稳定等多重考验，2023年国内半导体行业进出口同比下降。根据海关总署公布的2023年度进出口主要商品数据，2023年全年集成电路出口2,678.30亿个，同比下降1.8%；全年集成电路进口4,796亿个，同比下降10.8%。

　　2023年，面对市场下滑、订单不足、折旧成本高企等现实挑战，公司牢把方向、紧判大局、抓住节点、负压前行。凭借独立自主的核心技术研发体系，高效的市场快速反应能力，准确把握定制化产品与客户库存回补等订单机会，紧抓光伏、工控、汽车电子等领域中的结构性机会，在产品价格下降的大趋势下，不断加大研发投入，持续提升技术研发水平；不断加大市场开拓力度，增加市场占有率，成功开发标志性大客户，为公司实现可持续发展打下坚实基础。

　　报告期内，公司实现营业收入268,966.99万元，较上年同期的291,421.63万元下降7.71%；实现营业利润-9,870.76万元，较上年同期的71,645.57万元下降113.78%；剔除利息、折旧摊销等因素的影响后，EBITDA（息税折旧摊销前利润）为86,696.93万元，较上年同期的134,922.98万元下降35.74%；实现归属于上市公司股东的净利润6,575.25万元，较上年同期的68,778.99万元下降90.44%；实现归属于上市公司股东的扣除非经常性损益的净利润-10,552.44万元，较上年同期的55,653.97万元下降118.96%。

　　1、产能扩产带来的成本压力。公司部分募投项目自2022年6月开始陆续转固，相应的折旧费用、水电气等固定成本相比上年同期增加了14,355.25万元，叠加2022年下半年开始市场需求下滑，抛光片产能利用率下降，给公司带来了较大的成本压力；

　　2、收购嘉兴金瑞泓产生阶段性的亏损。2022年3月份公司收购了嘉兴金瑞泓，2023年仍处于产能爬坡过程中，相比上年同期亏损增加8,073.76万元；

　　3、计提的可转换债券利息费用大幅增加。公司2022年11月发行了33.90亿元的可转换债券，2023年度计提利息费用12,630.54万元，较上年同期增加10,976.82万元，影响了业绩；

　　4、产品降价导致毛利率大幅下降。受宏观经济、市场需求方面的影响，公司主要产品售价相比2022年有所下滑，其中半导体硅片折合6英寸的平均售价下降12.86%，半导体功率器件芯片的平均售价下降12.33%，叠加固定成本增加和抛光片产能利用率下降的影响，导致综合毛利率由2022年度的40.99%下降至2023年的19.57%，减少了21.42个百分点。

　　5、公允价值变动收益减少。2023年度公司持有的上市公司股票股价变动产生公允价值变动收益1,822.72万元，与上年同期的3,341.63万元相比，减少1,518.91万元。

　　报告期内，经营活动产生的现金流量净额为102,679.73万元，与上年同期的119,454.25万元相比，减少16,774.52万元，降幅14.04%；投资活动产生的现金净流出186,068.49万元，与上年同期的474,491.64万元相比，减少288,423.15万元，降幅60.79%，主要系上年同期支付了收购嘉兴金瑞泓的股权款及本期购建固定资产支付的现金相比上年同期大幅减少共同影响所致；筹资活动产生的现金净流出67,526.34万元，较上年同期减少398,650.01万元（上年同期为净流入331,123.67万元），主要系公司上年同期发行33.90亿元可转换债券、本期银行借款减少及本期支付远期回购义务款项共同影响所致。

　　报告期末，公司总资产1,827,599.25万元，较期初下降1.43%；总负债873,025.85万元，较期初上升0.11%；归属于上市公司股东的净资产797,235.30万元，较期初下降2.83%。

　　面对半导体市场的新形势新变化，公司及时部署和动态调整硅片与芯片板块的产能匹配、产能分工，深入调研和分析市场，积极协同客户，加快产品结构调整，发挥重掺产品优势，在市场需求变化中寻求增量，多措并举抓销量。半导体硅片折合6英寸销量984.36万片（含对立昂微母公司的销量192.50万片），较上年同期增长0.72%。功率器件芯片销量171.58万片，较上年同期增长8.87%，创下历史新高，出现了沟槽SBD和FRD芯片快速上量、IGBT芯片开始小批量出货等积极变化，实现了在清洁能源、车规、工控及消费电子领域的全覆盖，使得公司抗风险能力加大。化合物射频芯片销量1.79万片，较上年同期增长141.19%，亦创下新高。

　　报告期内，公司研发费用支出27,921.11万元，占营业收入比例为10.38%；上年同期研发费用支出27,182.45万元，占营业收入比例为9.33%。公司始终保持研发的高投入，报告期内公司研发项目主要以大尺寸半导体硅片的生产工艺技术、化合物半导体射频芯片的生产工艺技术和高端的功率器件芯片的生产工艺技术研发为主。

　　在半导体硅片领域，公司12英寸产品已覆盖14nm以上技术节点逻辑电路和存储电路，以及客户所需技术节点的图像传感器件和功率器件。轻掺产品不断拓展客户群体，重掺产品和技术继续保持全球领先优势。

　　12英寸硅片开发了双极型-CMOS-DMOS(BCD)器件用、高压集成电路（HVIC）及电源管理集成电路（PMIC）器件用硅抛光片；动态随机存取存储器（DRAM）器件用（高带宽存储器HBM）、闪存器件用（NOR型和NAND型Flash）硅抛光片；逻辑器件用（LogicIC）、图像传感器（CIS）器件用及BCD器件用硅外延片；IGBT器件用及SuperJunction器件用厚层硅外延片；金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFET）器件用超低阻重掺磷、重掺砷衬底硅外延片；以及超平整度（SuperFlat）硅抛光片等共计11类新产品，其中8类新产品已经进入批量供货，累计新产品发货量43万片。

　　开发了BMD增强工艺、金属吸杂工艺、轻掺单晶缺陷联合表征技术等17项12英寸新技术，大幅度改善了Logic、CIS、BCD等器件用硅片产品的体金属问题，解决了颗粒监控片产品经客户端重复使用后出现表面缺陷的问题，大大提升了硅片的可重复使用次数。

　　6-8英寸硅片开发了低中压MOSFET器件用超低阻重掺磷、重掺砷衬底硅外延片、IGBT和FRD器件用厚外延片、滤波器用超高阻硅抛光片等40余项新产品和新技术，并在主要客户量产产品上得到了全面应用，为新产品及时推出和产品性能提升提供技术保障。

　　在功率器件芯片领域，光伏用沟槽肖特基产品面对客户降本需求和6英寸、8英寸晶圆厂竞争，完成了光伏用沟槽肖特基产品正向导通压降温度特性改善等新产品开发。电源用沟槽肖特基产品完成高压器件芯片原型产品工程验证。FRD产品在重要客户量产顺利实施。在快恢复二极管产品、高压和超结MOS产品、IGBT产品等方面，保证重要客户按计划推进产品开发及工程样品试制考核合格。全年共开发了150个新产品，转量产75个。

　　在化合物射频芯片领域，产品技术在多个创新领域有重大突破，技术水平进入全球第一梯队行列。整合并优化了化合物晶圆通用的铜柱工艺、开发了超突变结变容二极管工艺、超低噪声0.13μmpHEMT工艺、低轨卫星用射频芯片等新工艺和新器件。射频芯片产品开始进入低轨卫星终端客户，并实现大规模出货。开发了二维可寻址VCSEL工艺技术，配合客户打通瞬时功率超万瓦的VCSEL阵列芯片，能充分适应车载雷达的技术指标需求，将是国内首个进入量产的大功率VCSEL技术，成为行业内首家量产二维可寻址激光雷达VCSEL芯片的制造厂商。碳化硅基氮化镓芯片的开发按计划节点顺利推进。在射频和激光领域，积极推进了近20项新技术的开发，并及时支撑客户超过400套研发版的流片验证和磨合，有效支撑客户量产流片。

　　2023年度公司获得授权专利15件（发明专利2件、实用新型专利13件）。2023年制定硅片领域国家标准5项，其中主持制定1项，参与制定4项。

　　公司化合物半导体射频芯片业务在2023年进展迅速，表现亮眼。得益于产品技术实现完全突破，客户端验证已基本覆盖国内主流手机芯片设计客户及下游手机的主要客户；得益于消费电子的复苏和进口替代加快，在手订单充裕，产能利用率同比大幅上升，产销量和营收达到历史峰值，负毛利率情况大幅收窄。在市场。